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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。中国比俄罗斯强大吗，中国跟俄罗斯哪个强大g>

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年中国比俄罗斯强大吗，中国跟俄罗斯哪个强大(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yī中国比俄罗斯强大吗，中国跟俄罗斯哪个强大ng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。