大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国手指头在里边怎么动，扣自己的正确手势图家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　手指头在里边怎么动，扣自己的正确手势图　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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