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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo田井读什么字，畊和耕的区别)息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析田井读什么字，畊和耕的区别(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演(y田井读什么字，畊和耕的区别ǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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