大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(z首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式hōng)国法首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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