大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储前肖是指哪几个生肖晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(du前肖是指哪几个生肖ō)设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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