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西安军事院校有几所,西安军事院校有几所大学

西安军事院校有几所,西安军事院校有几所大学 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息(xī),日(rì)前,网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn),影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ),网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规,我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查,目的是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全,是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要求,欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称,为保障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全,防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险,维护(hù)国家(jiā)安全,依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》,网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》,对美光(guāng)公司(Micron)在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头,也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一,2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年(nián)约11%。根据(jù)市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司中,江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目(mù)前(qián)江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì),江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约(yuē),确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司(sī)在下游市场的供应优势,公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合西安军事院校有几所,西安军事院校有几所大学肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

  有券商西安军事院校有几所,西安军事院校有几所大学(shāng)此(cǐ)前就分析,如果美光在中国区(qū)销售受到限制,或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽,催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露,薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75%。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单,设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公(gōng)司份额提升,以及存(cún)储(chǔ)业(yè)西安军事院校有几所,西安军事院校有几所大学务占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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