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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成什么叫人文关怀，人文关怀体现在哪些方面(chéng)重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分什么叫人文关怀，人文关怀体现在哪些方面析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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