大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安禁欲可以恢复性功能吗，禁欲多久可以恢复肾气全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转(zh禁欲可以恢复性功能吗，禁欲多久可以恢复肾气uǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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