大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消2004年后勤工程学院有专科吗 后勤工程学院可以当兵吗息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōn2004年后勤工程学院有专科吗 后勤工程学院可以当兵吗g)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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