大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(x一周期是什么意思是多少天ī)，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进一周期是什么意思是多少天行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(s一周期是什么意思是多少天hù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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