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　　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎn拿破仑法典的意义和基本原则是什么，拿破仑法典的意义和基本原则有哪些g)络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子拿破仑法典的意义和基本原则是什么，拿破仑法典的意义和基本原则有哪些、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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