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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　小小心意,不成敬意请笑纳，小小心意 不成敬意是什么意思alt="半导(dǎo)体突(tū)发！中(zhōng)国(guó)出(chū)手(shǒu)：停止采购(gòu)！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(小小心意,不成敬意请笑纳，小小心意 不成敬意是什么意思xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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