大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键害人精类似的三字词，像害人精这样的三字成语你还知道哪些(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)害人精类似的三字词，像害人精这样的三字成语你还知道哪些储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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