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　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)主谓双宾和主谓宾宾补的区别 例子，主谓宾双宾和主谓宾主谓双宾和主谓宾宾补的区别 例子，主谓宾双宾和主谓宾宾补宾补约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu主谓双宾和主谓宾宾补的区别 例子，主谓宾双宾和主谓宾宾补)占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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