大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品(pǐn)北京北站属于哪个区 北京北站在地铁几号线？问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收(shō北京北站属于哪个区 北京北站在地铁几号线？u)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(b北京北站属于哪个区 北京北站在地铁几号线？ěn)开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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