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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开放，只要牛心管是牛的什么部位 牛心顶是黄喉吗遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国(牛心管是牛的什么部位 牛心顶是黄喉吗guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(牛心管是牛的什么部位 牛心顶是黄喉吗wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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