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　　美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā阻抗实部虚部是什么意思，实部虚部是什么意思啊)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán阻抗实部虚部是什么意思，实部虚部是什么意思啊 24px;'>阻抗实部虚部是什么意思，实部虚部是什么意思啊)审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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