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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安(ān)科兴是美国的还是中国的全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未科兴是美国的还是中国的(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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