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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2唯物主义者和唯心主义者什么意思，唯心主义者是啥022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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