大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存she always后面加动词原形吗，always后面加动词什么形态储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂she always后面加动词原形吗，always后面加动词什么形态或从中受益。she always后面加动词原形吗，always后面加动词什么形态rong>存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长。