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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是(shì)主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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