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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié功在当代利在千秋是什么意思，生态文明建设功在当代利在千秋是什么意思)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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