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  大家好,来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

  美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

  据网信办消(xiāo)息,日(rì)前,网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

<币值是什么意思,硬币的币值是什么意思p>  审查发现,美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患,对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规,我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查,目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全(quán),是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要求(qiú),欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

  半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全,防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》,网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头,也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng),至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列(liè)江(j币值是什么意思,硬币的币值是什么意思iāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商,采购(gòu)约31亿元(yuán),占比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì),公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制,或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì),国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时币值是什么意思,硬币的币值是什么意思代(dài),2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长江存(cún)储被加入美国限制名单,设(shè)备国产化进程加速(sù),看(kàn)好拓荆科技(jì)(薄膜沉(chén)积)等相(xiāng)关公司(sī)份额提升,以及(jí)存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛(shèng)美上海(清(qīng)洗(xǐ))等收(shōu)入增长。

 

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