大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题(tí)天门中断楚江开的楚江指的是什么意思，天门中断楚江开的楚江指的是什么风景名胜隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分天门中断楚江开的楚江指的是什么意思，天门中断楚江开的楚江指的是什么风景名胜别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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