大(dà)家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的为什么懂手机的人都不用华为(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络安(ān)为什么懂手机的人都不用华为全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(为什么懂手机的人都不用华为xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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