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三沙市有多少人口2022,目前三沙市有多少人口

三沙市有多少人口2022,目前三沙市有多少人口 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发(fā)消息。

  美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查(chá)发现(xiàn),美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn),对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)三沙市有多少人口2022,目前三沙市有多少人口,影响我国国家安全。为此(cǐ),网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规,我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

  此(cǐ)次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá),目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)安全,是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场(chǎng)三沙市有多少人口2022,目前三沙市有多少人口

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文称(chēng),为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全,防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全风险,维护国家安(ān)全,依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安(ān)全法(fǎ)》,网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

  半导(dǎo)体突发!中国出(chū)手:停止采购(gòu)!

  美(měi)光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57%降至2022年(nián)约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降,至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示,江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势,公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分(fēn)析,如果美光在中国区销售受到限制,或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披露,薄(báo)膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单,设备国产化(huà)进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额提升(shēng),以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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