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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公泽连斯基身高是多少 泽连斯基有政治头脑吗(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(sh泽连斯基身高是多少 泽连斯基有政治头脑吗ì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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