大家好(hǎo)，来看(kàn)一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(j夜游症的孩子精神有问题吗，孩子半夜起来突然乱走乱说话ì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等(dě夜游症的孩子精神有问题吗，孩子半夜起来突然乱走乱说话ng)主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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