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雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语

雨水像从盆里泼出来一样比喻雨大势急的四字词语 形容下暴雨的四字词语 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发消息。

  美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

  据(jù)网(wǎng)信办消息,日(rì)前,网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审(shěn)查。

  审(shěn)查(chá)发现,美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患,对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规,我国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查,目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全,是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放,只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú),欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全,防范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险,维护国家安(ān)全,依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全法》,网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法(fǎ)》,对(duì)美(měi)光公司(Micron)在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76%,三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

  美光(guāng)在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降,至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商,采(cǎi)购(gòu)约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì),江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势,公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī),如果美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制,或将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为(wèi)75%。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān),设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升(shēng),以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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