大(dà)家好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响身份证号码150开头是哪里的，身份证号150开头的是哪里的我国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络安身份证号码150开头是哪里的，身份证号150开头的是哪里的全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合身份证号码150开头是哪里的，身份证号150开头的是哪里的(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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