大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(gu长沙哪个区是中心区，长沙哪个区属于市中心ī)要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列长沙哪个区是中心区，长沙哪个区属于市中心江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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