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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产睡觉的时候一直放里面是什么感觉，睡觉一直放在里面品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽睡觉的时候一直放里面是什么感觉，睡觉一直放在里面，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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